Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究 |
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引用本文: | 陈建彪,常乐,赵雲,李燕,王成伟.Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究[J].西北师范大学学报,2019(2). |
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作者姓名: | 陈建彪 常乐 赵雲 李燕 王成伟 |
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作者单位: | 西北师范大学物理与电子工程学院;中国科学院兰州化学物理研究所清洁能源实验室 |
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摘 要: | 采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×10~(17) cm~(-3),迁移率高达18.19 cm~2·V~(-1)·S~(-1),可用于薄膜太阳能电池的光吸收层.
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