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取代芳烃化合物电子结构与其对发光菌毒性关系的研究
引用本文:许旋,罗一帆,付俊仙.取代芳烃化合物电子结构与其对发光菌毒性关系的研究[J].华南师范大学学报(自然科学版),2003,0(3):97-101,107.
作者姓名:许旋  罗一帆  付俊仙
作者单位:1. 华南师范大学化学系,广东广州,510631
2. 中山大学中山医学院化学教研室,广东广州,510089
摘    要:应用量子化学半经验的MNDO方法计算了40个取代芳烃化合物的电子结构,探讨了化合物电子结构与其对发光菌毒性的关系.结果表明:(1)当化合物的分子极化度P、分子体积V、疏水参数logP较大时具有较大的水溶性和脂溶性,因而化合物的毒性较大;(2)当最高占据轨道(HOMO)能级和最低空轨道(LUMO)能级较低时,化合物容易接受电子具有较大的氧化性,取代芳烃的毒性也随之增大;(3)取代基的吸电子能力越强,吸电子基个数越多,苯环的正电性越大,化合物的毒性越大.得到的QSAR方程为:-logEC50=-2.230 O.202P-0.366EHOMO,据此可预测取代芳烃化合物对发光细菌的毒性.

关 键 词:取代芳烃化合物  电子结构  发光细菌  毒性  量子化学计算  定量构效关系  环境污染物
文章编号:1000-5463(2003)03-0097-05

STUDY ON QUANTITATIVE RELATIONSHIPS BETWEEN STRUCTURES AND TOXICITIES OF SUBSTITUTED ARENES TO MICROTOX
Abstract:
Keywords:QSAR  substituted arene  toxicity  MNDO
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