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锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究
引用本文:熊四辈,吴小清.锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究[J].西安交通大学学报,1996,30(4):60-65.
作者姓名:熊四辈  吴小清
摘    要:致密、纯钙钛矿结构的PZT(50/50)铁电薄膜已用MOD工艺(金属有机物热分解工艺)获得.通过优化原料的提纯和合成工艺,消除了原料中微量杂质离子,控制PZT先体溶液合成时的环境温度,制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液.采用多次甩胶成膜法,经400~500℃热处理,在Pt/SiO2/Si衬底上制得PZT(50/50)薄膜,膜厚520nm,其介电常数为270,损耗角正切为0.035(1kHz,0.05V测试电压),其绝缘电阻率为10~100TΩ·cm,剩余极化强度为20.6μC/cm2,饱和极化强度为27.7μC/cm2,矫顽场强为80kV/cm

关 键 词:MOD工艺  锆钛酸铅  铁电薄膜  钙钛矿结构

PREPARATION AND PROPERTIES OF PZT THIN FILMS DERIVED BY MOD TECHNIQUE
Xiong,Sibei,Wu,Xiaoqing,Zhang,Lianying,Yzo,Xi.PREPARATION AND PROPERTIES OF PZT THIN FILMS DERIVED BY MOD TECHNIQUE[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1996,30(4):60-65.
Authors:Xiong  Sibei  Wu  Xiaoqing  Zhang  Lianying  Yzo  Xi
Institution:School of Electronic and Information Engineering
Abstract:
Keywords:MOD  technique  lead  zirconate  titanate  ferroelectric  thin  film  perovskite  
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