| GaP外延层引入杂质的成因研究 |
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| 引用本文： | 丁维清.GaP外延层引入杂质的成因研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),1994,30(3):353-356. |
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| 作者姓名： | 丁维清 |
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| 作者单位： | 北京师范大学分析测试中心 |
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| 摘 要： | 利用ＳＩＭＳ方法对一种先进的液相外延法制成的ＧａＰ处延层杂质进行了研究。这种外延层中杂质种类少，含量小，过渡元素仅含Ｃｒ和Ｆｅ，质量可与日本同类产品相比；表明外延层中杂质的引入主要来源于外延过程。还初步研究了掺杂Ｚｎ的数密度随深度的分布情况，杂质的分布与掺杂Ｚｎ的分布呈相关趋向。因此，杂质的引入还可能与Ｚｎ的纯度有关。外延层中Ｐ＾＋层的厚度估计为１μｍ。
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| 关 键 词： | 外延层 杂质 磷化 |
SIMS STUDIES ON CAUSE OF IMPURITIES IN GaP EPITAXY |
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| Ding Weiqing.SIMS STUDIES ON CAUSE OF IMPURITIES IN GaP EPITAXY[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1994,30(3):353-356. |
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| Authors: | Ding Weiqing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | epitaxy SIMS impurities |
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