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ThSiO4晶体中Yb^3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究
引用本文:董会宁 蔡雪梅 邬劭轶. ThSiO4晶体中Yb^3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究[J]. 重庆邮电学院学报(自然科学版), 2005, 17(2): 144-146
作者姓名:董会宁 蔡雪梅 邬劭轶
作者单位:[1]重庆邮电学院信息电子学研究所,重庆400065//中国科学院国际材料物理中心,辽宁沈阳110016 [2]重庆邮电学院信息电子学研究所,重庆400065 [3]重庆邮电学院信息电子学研究所,重庆400065//电子科技大学物理电子学院,四川成都610054//中国科学院国际材料物理中心,辽宁沈阳110016
摘    要:从晶体场理论出发,用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量,计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子,计算结果与实验很好地符合,并对结果进行了讨论。

关 键 词:电子顺磁共振 晶体场理论 ThSiO4 Yb^3+’

Theoretical studies of spin Hamitonian parameters for Yb~(3+) ion in ThSiO_4 crystal
DONG Hui-ning. Theoretical studies of spin Hamitonian parameters for Yb~(3+) ion in ThSiO_4 crystal[J]. Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications(Natural Sciences Edition), 2005, 17(2): 144-146
Authors:DONG Hui-ning
Affiliation:DONG Hui-ning~
Abstract:In this paper, based on the crystal-field theory, the spin Hamitonian parameters for the tetragonal Yb~(3+) ion in ThSiO4 crystal have been studied by the aid of the second-order perturbation formulas and the crystal-field parameters obtained from the superposition model and the structural data. The results are in agreement with the observed values and results are also discussed.
Keywords:electron paramagnetic resonance (EPR)  crystal-field theory  ThSiO_4  Yb~(3+)
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