| Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储 |
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| 作者姓名： | 李盼来 郭庆林 王志军 庞立斌 梁宝来 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金项目（批准号：F20060010023）资助 |
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| 摘 要： | 采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置, 以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体, 研究了入射光强度和光入射角对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响. 研究发现, 光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性, 入射光强度阈值为38.2 mW/cm2; 对应相同的入射光强度, 光入射角θ 为15°时稳态光扇强度Ifsat最强. 研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响, 入射光调制抑制了光扇噪声对Ce:KNSBN晶体两波耦合及体全息存储的影响, 使得再现图像质量得到了明显改善.
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| 关 键 词： | Ce:KNSBN晶体 光扇效应 阈值特性 图像存储 |
| 收稿时间： | 2006-09-28 |
| 修稿时间： | 2006-09-282006-11-27 |
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