基于△V_(GS)权重的CMOS恒压源

针对全CM O S结构制作恒压源方法中存在的功耗过大问题,提出了一种利用CM O S亚阈值特性的恒压源制作方案。该电路基于NM O S和PM O S处于饱和区工作时,两者的栅源电压随温度变化权重不同的原理,将其作相关运算,得到温度系数极低的恒压输出。基于M O S管亚阈值特性产生的电路模块中的偏置电流很小,导致功耗仅50μW。采用中芯国际0.18μm数模混合工艺制造了该电压源结构,测试结果显示,在21~110℃的温度范围内,电路的温度系数达到了2.5×1-0 5/℃。当电源电压达到1.4 V以上时,电路就可以正常工作,且其电源电压抑止比为-57 dB。