| AlGaInP/ GaAs 外延层的倒易空间图分析 |
| |
| 引用本文： | 李华兵, 范广涵, 王浩, 吴文光, 陈贵楚, 陈练辉. AlGaInP/ GaAs 外延层的倒易空间图分析[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2005, (1): 55. |
| |
| 作者姓名： | 李华兵 范广涵 王浩 吴文光 陈贵楚 陈练辉 |
| |
| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631 |
| |
| 基金项目： | 国家科技攻关计划基金(00-068) |
| |
| 摘 要： | 介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.
|
| 关 键 词： | AlGaInP/GaAs X射线衍射 倒易点二维图 |
| 文章编号： | 1000-5463(2005)01-0055-05 |
| 修稿时间： | 2004-04-12 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《华南师范大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《华南师范大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
|
