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| 同位镀锑方波溶出伏安法测定痕量铅、镉 | |
| 引用本文： | 文静,司士辉.同位镀锑方波溶出伏安法测定痕量铅、镉[J].福建师范大学学报(自然科学版),2014(3):75-79,86. |
| 作者姓名： | 文静 司士辉 |
| 作者单位： | 中南大学化学化工学院; |
| 基金项目： | 中南大学中央高校基本科研专项资金资助项目(201322ts016) |
| 摘 要： | 采用同位镀锑膜法修饰玻碳电极(GCE),用方波溶出伏安法(SWSV)对痕量铅、镉同时进行了测定.在最优的实验条件下,Pb、Cd分别在-0.5,-0.78 V(vs Ag/AgCl)附近产生灵敏的溶出峰,当Pd、Cd的质量浓度分别在5~110μg·L-1范围内时,峰电流与质量浓度呈良好的线性关系,检出限分别为1.2μg·L-1和0.8μg·L-1.利用该法测定大米中的镉,相对标准偏差在2.6%~3.5%,并与电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)做了对比,测定结果良好. |
| 关 键 词： | 同位镀锑 方波溶出伏安法 铅 镉 玻碳电极 |
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