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| 垂直腔面发射激光器的原理与设计 | |
| 引用本文： | 邓云龙, 范广涵, 廖常俊, 刘颂豪, 文尚胜, 刘鹏, 王浩, 曹明德, 刘鲁. 垂直腔面发射激光器的原理与设计[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2001, (3): 33. |
| 作者姓名： | 邓云龙 范广涵 廖常俊 刘颂豪 文尚胜 刘鹏 王浩 曹明德 刘鲁 |
| 作者单位： | 华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室, |
| 基金项目： | 2000年国家科技攻关计划(00-068) |
| 摘 要： | 阐述了垂直腔面发射激光器（VCSEL）的工作原理及器件的设计方案,并设计出激射波长为980nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器件结构。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器 面发射激光器 InGaAs 氧化物 垂直腔面发射激光器 工作原理 设计 |
| 文章编号： | 1000-5463(2001)03-0033-07 |
| 修稿时间： | 2001-02-12 |
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