| 垂直腔面发射激光器的原理与设计 |
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| 引用本文： | 邓云龙,范广涵,廖常俊,刘颂豪,文尚胜,刘鹏,王浩,曹明德,刘鲁.垂直腔面发射激光器的原理与设计[J].华南师范大学学报(自然科学版),2001,0(3):33-39. |
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| 作者姓名： | 邓云龙 范广涵 廖常俊 刘颂豪 文尚胜 刘鹏 王浩 曹明德 刘鲁 |
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| 作者单位： | 华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室, |
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| 基金项目： | 2000年国家科技攻关计划(00-068) |
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| 摘 要： | 阐述了垂直腔面发射激光器（VCSEL）的工作原理及器件的设计方案，并设计出激射波长为980nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料，氧化物限制电流，衬底面出光的基横模低阈值的器件结构。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 面发射激光器 InGaAs 氧化物 垂直腔面发射激光器 工作原理 设计 |
| 文章编号： | 1000-5463(2001)03-0033-07 |
| 修稿时间： | 2001年2月12日 |
PRINCIPLE AND DESIGN OF VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS |
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| DENG Yun - long,FAN Guang - han,LIAO Chang - jun,LIU Song - haoWEN Shang- sheng,LIU Peng,WANG hao,CAO Ming- de,LIU Lu.PRINCIPLE AND DESIGN OF VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2001,0(3):33-39. |
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| Authors: | DENG Yun - long FAN Guang - han LIAO Chang - jun LIU Song - haoWEN Shang- sheng LIU Peng WANG hao CAO Ming- de LIU Lu |
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| Abstract: | The principle and design of vertical cavity surface emitting lasers are described in this paper. And a low threshold structure with InGaAs/GaAs MQW as active layers, oxide as current confinement layer is worked out, the light of which for fundament mode emits from substrate with wavelength at 980 nm. |
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| Keywords: | semiconductor lasers surface emitting lasers InGaAs Oxide DBR |
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