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ZnO非线性电阻冲击蜕变机理分析
引用本文:许毓春,曹书云,王士良,赵时坚.ZnO非线性电阻冲击蜕变机理分析[J].华中科技大学学报(自然科学版),1992(Z1).
作者姓名:许毓春  曹书云  王士良  赵时坚
作者单位:华中理工大学固体电子学系 (许毓春,王士良),华中理工大学机械工程二系 (曹书云),华中理工大学固体电子学系(赵时坚)
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:使用透射电镜、能谱、电子衍射等微观分析手段,对脉冲大电流冲击后的ZnO非线性电阻I-V特性蜕变现象进行了研究.实验结果表明,ZnO非线性电阻的冲击蜕变主要是由于离子迁移致使正、负离子在晶界层与晶粒界面两侧的积累和离散所造成的,同时也与富铋界面层的相结构改变有密切的关系.

关 键 词:氧化锌  非线性电阻  冲击  蜕变

On the Impulse Degradation Mechanism of Zinc Oxide Nonlinear Resistors
Xu yuchun Cao Shuyun Wang Shiliang Zhao Shijian.On the Impulse Degradation Mechanism of Zinc Oxide Nonlinear Resistors[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1992(Z1).
Authors:Xu yuchun Cao Shuyun Wang Shiliang Zhao Shijian
Institution:Xu yuchun Cao Shuyun Wang Shiliang Zhao Shijian
Abstract:The high-energy impulse degradation of ZnO nonlinear resistors is studied by transmission electronic microscopy in conjunction with X-ray diffractometry and energy dispersive X-ray analysis. It is shown that the impulse degradation of ZnO nonlinear resistors is caused by ion migration and phase structure transition of Bi2O3 in the Bi2O3-rich intergranular layer.
Keywords:zinc oxide  nonlinear resistors  impulse  degradation  
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