| 一种硅原子簇边界处理方法 |
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| 引用本文： | 韩圣浩,张瑞勤,戴国才.一种硅原子簇边界处理方法[J].山东大学学报(理学版),1989(2). |
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| 作者姓名： | 韩圣浩 张瑞勤 戴国才 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系，山东大学物理系，山东大学物理系 |
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| 摘 要： | 近年来,用量子化学—原子簇方法研究固体的电子性质,例对固体表面、体内杂质和缺陷、无序体系的电子结构等的研究越来越引起人们的重视。原子簇模型的基本思想是以有限大的原子团模拟无限大的体系。共价固体硅原子簇边界悬挂键的处理,对计算结果影响很大。边界饱和原子的选取,是原子簇方法中一个十分重要的问题。Tong曾用氢原子饱和边界,发现所计算的电子态密度结果中禁带较宽;张开
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A KIND OF METHOD DEALING WITH SILICON CLUSTER BOUNDARY |
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| Han Shenghao,Zhang Ruiqin,Dai Guocai.A KIND OF METHOD DEALING WITH SILICON CLUSTER BOUNDARY[J].Journal of Shandong University,1989(2). |
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| Authors: | Han Shenghao Zhang Ruiqin Dai Guocai |
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| Abstract: | The parameters of two kinds of qusi-silicon atoms are showed by calculating with Si17 cluster using EHMO method. A better result of DOS is obtained by using these parameters. |
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| Keywords: | EHMO Silicon cluster Dangling bonds Qusi-silicon atoms |
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