| 一种新颖的高电源抑制带隙基准源电路设计 |
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| 引用本文： | 郭玮,冯全源,庄圣贤,高峡.一种新颖的高电源抑制带隙基准源电路设计[J].科学技术与工程,2016,16(28). |
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| 作者姓名： | 郭玮 冯全源 庄圣贤 高峡 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所,西南交通大学 微电子研究所,西南交通大学 电气学院,西南交通大学 微电子研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学(61531016);国家自然科学(61271090); 四川省科技支撑计划项目(2015GZ0103) |
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| 摘 要： | 基于0.18μm BCD工艺,设计了一种新颖的低温漂高电源抑制比(PSRR)的带隙基准源电路。基准核心电路采用自偏置结构,简化了电路的设计。在不显著增加电路功耗与面积的前提下,通过引入预调节电路极大地提高了电路的PSRR。基准源输出采用负反馈结构,进一步提升了PSRR。Hspice软件仿真结果表明:在-40~150℃温度范围变化时,基准输出电压变化为283μV,温度系数仅为1.18×10-6(ppm)/℃;基准的稳定输出电压为1.257 V;电源电压在3~6 V范围变化时,线性调整率为0.082 m V/V;5 V电源电压下,低频时电源电压抑制比为130 d B,在100 k Hz时也能高达65 d B。电路整体功耗为0.065 m W,版图面积为63μm×72μm。
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| 关 键 词： | 带隙基准 预调节电路 反馈输出 温度补偿 电源抑制 |
| 收稿时间： | 2016/4/15 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/6/13 0:00:00 |
A Novel Design of Bandgap Reference Source with High PSRR |
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| Guo Wei,Feng Quanyuan,Zhuang Shengxian and Gao Xia.A Novel Design of Bandgap Reference Source with High PSRR[J].Science Technology and Engineering,2016,16(28). |
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| Authors: | Guo Wei Feng Quanyuan Zhuang Shengxian and Gao Xia |
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| Institution: | Institute of Microelectronics,Southwest Jiaotong University,,Institute of Microelectronics,Southwest Jiaotong University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference pre-regulation circuit feedback output temperature compensation power supply rejection |
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