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SnO2/n-Si双层结构的湿度敏感性及其物理机制*
引用本文:郭天超,高瑜,郭天飞,李桂霞,韩治德.SnO2/n-Si双层结构的湿度敏感性及其物理机制*[J].科学技术与工程,2016,16(23).
作者姓名:郭天超  高瑜  郭天飞  李桂霞  韩治德
作者单位:中国石油大学(华东)理学院,山东科技大学电气与自动化工程学院,山东科技大学电气与自动化工程学院,青岛农业大学理学与信息科学学院,中国石油大学(华东)理学院
基金项目:国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心开放课题资助项目(批准号:ZYGX2014K003-1)、青岛市博士后研究人员应用研究项目资助项目(批准号:2014) 、大学生创新创业训练计划(批准号:20151316)
摘    要:在室温下利用直流磁控溅射方法在硅基底上制备了二氧化锡薄膜,得到Sn O2/n-Si双层结构。利用扫描电子显微镜对二氧化锡薄膜的结构进行表征、分析。通过测量双层结构在干燥及湿度环境中的伏安特性,研究了其湿度敏感性。结果表明:双层结构在干燥和湿度环境中均表现出二极管特性,且从干燥环境向湿度环境过渡时,该结构在正向偏压下电流变化明显。基于该结构正向偏压下的伏安特性研究其湿度敏感性,研究发现双层结构在工作电压为0.25 V时,湿度灵敏度最佳。灵敏度随着环境湿度的增大而增大,在相对湿度为67%时,灵敏度达到142%,响应时间和恢复时间分别为550 s和240 s。最后,基于能带理论,揭示了双层结构湿度敏感性的物理机制。该研究对湿度传感器的开发具有一定的指导意义。

关 键 词:二氧化锡  磁控溅射  湿敏  物理机制
收稿时间:4/6/2016 12:00:00 AM
修稿时间:5/6/2016 12:00:00 AM

The humidity-sensitive of SnO2/n-Si bilayer structure and its physical mechanism*
GUO Tian-Chao,GAO Yu,GUO Tian-Fei,and HAN Zhi-De.The humidity-sensitive of SnO2/n-Si bilayer structure and its physical mechanism*[J].Science Technology and Engineering,2016,16(23).
Authors:GUO Tian-Chao  GAO Yu  GUO Tian-Fei  and HAN Zhi-De
Institution:College of Electrical Engineering and Automation,Shandong University Of Science And Technology,College of Electrical Engineering and Automation,Shandong University Of Science And Technology,,College of Science,China University Of Petroleum
Abstract:
Keywords:Tin oxide  Magnetron sputtering  Humidity-sensing  Physical mechanism
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