| 铝锑共掺氧化锌纳米线阵列LED发光性能研究 |
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| 作者姓名： | 张唐磊 丁宝玉 张翔晖 |
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| 作者单位： | 铁电压电材料与器件湖北省重点实验室, 湖北大学物理与电子科学学院, 湖北 武汉 430062,铁电压电材料与器件湖北省重点实验室, 湖北大学物理与电子科学学院, 湖北 武汉 430062,铁电压电材料与器件湖北省重点实验室, 湖北大学物理与电子科学学院, 湖北 武汉 430062 |
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| 摘 要： | 氧化锌(ZnO)纳米线因具有良好的结晶质量和独特的半导体性质,在光电子器件领域有重要应用前景.利用双元素共掺来提高掺杂元素在ZnO内的固溶度,是获得p型导电ZnO材料的有效方法.本文中利用化学气相沉积法制备Al和Sb共掺的p型ZnO纳米线阵列,通过XRD、SEM、EDS和XPS等手段分析共掺ZnO纳米线的形貌、成分和晶体质量,发现共掺ZnO具有良好的(001)晶向外延取向生长特性,且通过调整升温速率可以调控掺杂ZnO纳米线的晶体质量.基于n-GaN衬底外延生长的共掺ZnO纳米线阵列,构建异质结型LED器件.Ⅰ-Ⅴ曲线结果表明,在±4 V电压下,器件整流比高达13.7,纳米线异质结开启电压为3 V,器件表现出良好的pn结电学特性.电致发光(EL)光谱结果显示,共掺ZnO纳米线LED器件发光峰中心波长约为650 nm,表现为橙红光发射.
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| 关 键 词： | 氧化锌 共掺 纳米线阵列 异质结 |
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