| 稀磁半导体Cr_xMn_(1-x)Te的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 徐强,杨光敏,邢光宗.稀磁半导体Cr_xMn_(1-x)Te的第一性原理计算[J].吉林大学学报(理学版),2015,53(4):762-765. |
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| 作者姓名： | 徐强 杨光敏 邢光宗 |
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| 作者单位： | 1. 长春工程学院 勘查与测绘工程学院, 长春 130022; 2. 长春师范大学 物理学院, 长春 130032;3. 吉林大学 材料科学与工程学院, 长春 130012 |
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| 摘 要： | 根据CrTe和MnTe各种结构的稳定性,选取具有NiAs结构、岩盐结构和闪锌矿结构的CrTe为基本骨架,以Mn原子替换Cr原子形成掺杂的稀磁半导体CrxMn1-xTe.使用基于密度泛函理论的VASP软件包,计算其形成能、态密度和磁矩,并比较不同x值对性能的影响.结果表明,掺杂后3种结构的稳定性为NiAs结构岩盐结构闪锌矿结构;Mn原子掺杂NiAs结构后,NiAs结构发生向闪锌矿结构的相变,对闪锌矿结构掺杂未发生相变;3种结构的磁矩均随Mn原子的增多而增大.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 第一性原理 掺杂 磁性 |
| 收稿时间： | 2014-12-21 |
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