| 退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响 |
| |
| 引用本文： | 梁继然,胡明,吕宇强,韩雷,刘志刚. 退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响[J]. 天津大学学报(自然科学与工程技术版), 2006, 39(12): 1495-1498 |
| |
| 作者姓名： | 梁继然 胡明 吕宇强 韩雷 刘志刚 |
| |
| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津300072 |
| |
| 摘 要： | 采用直流对向靶磁控溅射的方法在SiO2／Si衬底上制备了具有（001）择优取向的V2O5薄膜,利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试方法对退火前后薄膜的表面形貌、物相组分和电阻温度系数进行了测量．结果表明：200℃衬底温度下溅射得到的薄膜为多晶V2O5,膜表面颗粒呈细长针状,经700℃、1h退火后,薄膜中VO2相成分增多,颗粒变为长方形柱状;退火后薄膜的电阻温度系数达到-3.2％／K,与薄膜的微结构和物相组分有很大关系：3h退火后．得到高纯度的V2O5薄膜．
|
| 关 键 词： | 氧化钒薄膜 微观结构 直流磁控溅射 择优取向 |
| 文章编号： | 0493-2137（2006）12-1495-04 |
| 收稿时间： | 2006-04-28 |
| 修稿时间： | 2006-04-282006-08-22 |
Influence of Annealing Conditions on Microstructure of Vanadium Oxide Thin Films |
| |
| LIANG Ji-ran,HU Ming,L Yu-qiang,HAN Lei,LIU Zhi-gang. Influence of Annealing Conditions on Microstructure of Vanadium Oxide Thin Films[J]. Journal of Tianjin University(Science and Technology), 2006, 39(12): 1495-1498 |
| |
| Authors: | LIANG Ji-ran HU Ming L Yu-qiang HAN Lei LIU Zhi-gang |
| |
| Affiliation: | School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | vanadium oxide thin film mierostructure direct current magnetron sputtering preferred orientation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
