| 工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计 |
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| 引用本文： | 魏全,傅兴华,王元发.工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计[J].西安工程科技学院学报,2013,27(2):203-206. |
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| 作者姓名： | 魏全 傅兴华 王元发 |
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| 作者单位： | 贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 贵州大学研究生创新基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的,工作在亚阈区的纯MOS电压基准源.利用CSMC(华润上华)0.5μm BiCMOS工艺,采用Cadence spice软件仿真.测试结果显示,输出基准电压为1.520V,电路功耗仅200nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.30ppm/℃.
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| 关 键 词： | 纯MOS管 电压基准 亚阈值区 源耦合对 温度系数 |
Design of pure-MOS voltage reference at subthreshold |
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| WEI Quan
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FU Xing-hua
,
WANG Yuan-fa.Design of pure-MOS voltage reference at subthreshold[J].Journal of Xi an University of Engineering Science and Technology,2013,27(2):203-206. |
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| Authors: | WEI Quan FU Xing-hua WANG Yuan-fa |
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| Institution: | (Guizhou Provincial Key Lab for Micro-Nano-Electronics and Software,Guizhou University,Guiyang 550025,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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