GaP:Fe的M(?)ssbauer效应和EPR谱研究 |
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引用本文: | 曾贻伟,杨锡震,李智,林振全,邱菊.GaP:Fe的M(?)ssbauer效应和EPR谱研究[J].科学通报,1996(7). |
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作者姓名: | 曾贻伟 杨锡震 李智 林振全 邱菊 |
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作者单位: | 北京师范大学物理系!北京100875(曾贻伟,杨锡震,李智,林振全),沈阳航空学院基础部!沈阳110031(邱菊) |
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摘 要: | 众所周知,GaP为宽禁带间接型半导体,是制作绿色发光二极管的主要材料之一;但在生长GaP单晶过程中很难避免杂质Fe的存在,这就使得用GaP制成的发光器件的效率难以提高。显然研究Fe在GaP中的行为,进而了解其对以GaP为基础制成的发光器件发光效率影响的机制,无疑在应用上有重要的意义。近年来对Fe及其它过渡元素在半导体中行为的研究,无论从实验或理论方面均取得重要进展;如Fe杂质在GaP中取代Ga晶位,处于由4个近邻P原子形成的正四面体中心,具有四方对称性旧,通过EPR(电子顺磁共振)谱和其它实验证实了Fe在GaP中的电荷态分别为3d~5,3d~7和3d~6。我们应用M(?)ssbauer谱和EPR谱方法,研究Fe注入GaP后,在GaP中的行为和相应的物理机制;观测了不同退火条件下注入样品表面杂质Fe超精细相互作用参数的变化,并与Fe扩散入GaP的情况相对比,取得一些有趣的结果。
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关 键 词: | Fe注入和扩散 GaP M(?)ssbauer谱和EPR谱 Fe多重电荷态的布居 |
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