锑化物纳米结构的中红外激光器与探测器的新进展

锑(Sb)化物基光电子材料主要是指包含(InGaAlN)(AsSb)等元素的典型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,其光电物理性质独特、内涵丰富。锑化物材料在高性能中波红外激光器和中长波红外探测器等领域内具有广阔的应用前景,近年来发展迅猛。开展锑化物低维材料物理和关键制备技术的研究,对开发下一代高性能器件具有十分重要的科学意义和应用价值。