| Mn^＋注入GaAs中Ga—Mn二十面体准晶的形成 |
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| 引用本文： | 孙凯 宫泽祥. Mn^＋注入GaAs中Ga—Mn二十面体准晶的形成[J]. 大连理工大学学报, 1997, 37(2): 227-230 |
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| 作者姓名： | 孙凯 宫泽祥 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院北京电子显微镜实验室 [2]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术，在Ｍｎ＾＋注入ＧａＡｓ及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成。能谱及电子能量损失谱分析表明，这些粒子不含Ａｓ，由Ｇａ和Ｍｎ元素组成，约含５０ａｔ％的Ｍｎ；其结构具有五次对称性和非周期分布的电子衍射斑点，这些具有２／ｍ３５↑－对称性的ＧａＭｎ准晶粒子同具有闪锌矿结构的ＧａＡｓ基体之间具有确定的取向关系：ｉ－５↑－／／〔１１０〕ＧａＡｓ；ｉ－３↑－／／
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| 关 键 词： | 准晶体 离子注入 砷化镓 半导体 锰离子 |
Ga Mn icosahedral quasicrystal particles fabricated by Mn + implantation in GaAs |
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| Sun Kai,Zhu Sha,Guo Kexin. Ga Mn icosahedral quasicrystal particles fabricated by Mn + implantation in GaAs[J]. Journal of Dalian University of Technology, 1997, 37(2): 227-230 |
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| Authors: | Sun Kai Zhu Sha Guo Kexin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quasicrystals ion implantation gallium arsenide electron microscopy |
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