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| 氮化镓的材料与器件 | |
| 引用本文： | M．S．舒尔 R．F．戴维斯 胡海伦.氮化镓的材料与器件[J].国外科技新书评介,2005,33(4):12-13. |
| 作者姓名： | M．S．舒尔 R．F．戴维斯 胡海伦 |
| 作者单位： | [1]不详 [2]美国康涅狄格大学电气工程系博士生 |
| 摘 要： | 本书是新加坡世界科技出版公司出版的《电子学与系统专题》丛书的第33卷。GaN半导体具有独特的材料性质，这些性质引发了半导体系统光电子和电子器件的研究与开发的极大兴趣。氮化物材料与器件对高功率、高温度应用极为有前途，其主要优点是高电子迁移率和饱和速度、在异质结界面上的高层载流子浓度、高击穿电场及当它们生长在SiC或大量的A1N基片上时的低热阻抗。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率 研究与开发 载流子浓度 异质结界面 材料性质 电子器件 导体系统 击穿电场 电子学 新加坡 半导体 GaN 光电子 高功率 氮化物 高温度 热阻抗 A1N SiC 出版 基片 |
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