| PZT-5H导电缺口电致滞后开裂 |
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| 引用本文： | 乔光利,宿彦京,乔利杰,褚武扬.PZT-5H导电缺口电致滞后开裂[J].科学通报,2006,51(9):1103-1105. |
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| 作者姓名： | 乔光利 宿彦京 乔利杰 褚武扬 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料物理系,北京,100083 |
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| 基金项目： | 本工作为国家自然科学基金（批准号：50571011,50572006）和教育部重点基金（批准号：104021）资助项目. |
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| 摘 要： | 研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律. 结果表明, PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场EF = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场E<EF, 则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹, 若保持恒电场E, 电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂, 滞后断裂的门槛电场EDF = 9.9 kV/cm. 如EEK= 4.9 kV/cm, 则电致裂纹并不瞬时形核, 只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离, 但试样也不会发生断裂. 如E<EDF = 2.4 kV/cm, 即使长时间施加电场, 裂纹也不形核. 导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大, 当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核.
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| 关 键 词： | PZT铁电陶瓷 导电缺口 电致开裂 电致滞后断裂 |
| 收稿时间： | 2005-06-15 |
| 修稿时间： | 2005-06-152006-01-11 |
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