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AgBr单晶/染料体系的光电行为
引用本文:田禾,叶永平,阴其俊,周昌寿,朱正华.AgBr单晶/染料体系的光电行为[J].华东理工大学学报(自然科学版),1987(6).
作者姓名:田禾  叶永平  阴其俊  周昌寿  朱正华
作者单位:华东化工学院精细化工研究所 (田禾),华东化工学院物理系 (叶永平,阴其俊,周昌寿),华东化工学院精细化工研究所(朱正华)
摘    要:染料对卤化银单晶中光电效应的影响与其本征光电导以及光谱增感有很紧密的平行性,我们在AgBr单晶表面上(仅有422]晶面,晶面间距d=0.11nm)采用真空升华喷镀法(1.33×10~(-2)Pa下)涂上一层约20nm厚的染料薄膜,该薄膜在扫描电子显微镜下呈较均匀的非晶聚集体,而在惰性载片上同样方法制得的染料薄膜则呈多晶聚集体。进行光电导测试的光源为1000W溴钨灯,入射单色光强归一至15.7 mW/cm~2,在中等入射光强范围内,样品

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