| GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究 |
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| 引用本文： | 林顺勇,高玉琳,吕毅军,郑健生,刘国坤.GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究[J].厦门大学学报(自然科学版),2004(3). |
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| 作者姓名： | 林顺勇 高玉琳 吕毅军 郑健生 刘国坤 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系厦门大学化学系喇曼实验室，厦门大学物理学系，厦门大学物理学系，厦门大学物理学系，厦门大学化学系喇曼实验室 福建厦门361005，福建厦门361005，福建厦门361005，福建厦门361005，福建厦门361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60276002)，福建省自然科学基金(A0110007)资助 |
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| 摘 要： | 室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1 LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.
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| 关 键 词： | 喇曼散射 无序效应 应变效应 Ⅲ-V-N半导体 |
Raman Study on GaAs_(1-x)N_x Alloys |
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| LIN Shun-yong.Raman Study on GaAs_(1-x)N_x Alloys[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2004(3). |
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| Authors: | LIN Shun-yong |
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| Institution: | LIN Shun-yong~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Raman scatter disorder effect strain effect III-V-N semiconductor |
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