第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议 |
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引用本文: | 李东升,杨德仁.第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议[J].国际学术动态,2006(5):48-49. |
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作者姓名: | 李东升 杨德仁 |
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作者单位: | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027 |
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摘 要: | 第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议(11th International Conference on Defects-Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors(DRIP XI))于2005年9月15-19日在北京举行,来自26个国家(地区)的共124位代表与会。会议由中国科学院半导体研究所和浙江大学共同主办,会议主席是中国科学院半导体研究所的王占国院士,会议程序委员会主席则是浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授;会议国际指导委员会和会议国际程序委员会分别由著名学者JeanPierre Landesman、Piotr Edelman等16人和18人组成。
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关 键 词: | 半导体缺陷 中国科学院半导体研究所 会议 物理 成像 硅材料国家重点实验室 浙江大学 委员会 |
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