高亮度蓝绿发光二极管芯片制造技术研究 |
| |
引用本文: | 蔡隆良.高亮度蓝绿发光二极管芯片制造技术研究[J].科技成果纵横,2008(6):61-62. |
| |
作者姓名: | 蔡隆良 |
| |
作者单位: | 广东东莞科技馆 |
| |
摘 要: | 高亮度发光二极管(HB—LED)芯片制造是介于外延片生产和芯片封装的中间过程,通过光刻、等离子刻蚀(ICP)、掩模(PECVD)、电子束真空蒸发镀膜、研磨抛光、划片、裂片、点测等工艺技术研究,实现高亮度发光二极管芯片生产的产业化。由于具有体积小、低能耗、冷光源、使用寿命长、环保等特点,蓝、绿光LED应用前景十分广泛,比如全彩显示屏、背光源、汽车刹车灯、装饰灯、交通信号灯、景观照明以及通用照明等。
|
关 键 词: | 高亮度发光二极管 芯片制造技术 真空蒸发镀膜 芯片生产 景观照明 等离子刻蚀 绿光LED 交通信号灯 |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |