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| 一种低功耗的1024位MOS随机存储器 | |
| 引用本文： | 徐葭生,李瑞伟,庄同曾.一种低功耗的1024位MOS随机存储器[J].清华大学学报(自然科学版),1978(2). |
| 作者姓名： | 徐葭生 李瑞伟 庄同曾 |
| 作者单位： | 电子工程系 (徐葭生，李瑞伟)，电子工程系(庄同曾) |
| 摘 要： | 本文介绍一种１０２４位ＭＯＳ随机存储器电路。采用Ｐ沟硅栅工艺，标准的四管单元结构。电路设计的主要特点是：１．在地址译码器中串入由内部时钟控制的接地管，完全消除了直流通路，使功耗大大降低；２．地址码封锁电路采用了一种由时钟控制的单管门形式，简化了电路；３．字线通过一个小跨导的放电管接地，提高了抗干扰能力。 |
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