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往复区熔对n型温差电材料性能均匀性的影响
引用本文:马丛笑,宁潜艳,郑艺娜,李将禄.往复区熔对n型温差电材料性能均匀性的影响[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2001,17(2):48-51.
作者姓名:马丛笑  宁潜艳  郑艺娜  李将禄
作者单位:1. 哈尔滨师范大学
2. 大庆油田有线电视台
摘    要:本文采用往复区熔法生长了掺杂 Sb I3的 ( Bi2 Te3) 0 .90 ( Sb2 Te3) 0 .0 5( Sb2 Se3) 0 .0 5赝三元 n型半导体温差电材料 ,测定了晶棒轴向温差电性能 .所制备的质量为 2 0 0 0 g,直径为 33mm的 n型晶锭 ,6 0 %左右可利用部分的温差电参数分布为 :温差电动势率 α=2 0 9~ 2 0 6 μV/K;电导率 σ=935~ 1 0 30 /Ω.cm;热导率K=1 .5 2~ 1 .5 5 W/( m· K) ;温差电优值 Z=2 .6 9~ 2 .84× 1 0 - 3/K.

关 键 词:往复区熔  n型半导体  温差电材料  三元固熔体晶体材料
修稿时间:2001年4月26日

THE INFLUENCE OF TO AND FRO ZONE MELTING METHOD TO THE UNIFORMITY OF N-TYPE THERMOELECTRIC MATERIALS PROPERTY
Ma Congxiao,Ning Qianyan,Li Jianglu.THE INFLUENCE OF TO AND FRO ZONE MELTING METHOD TO THE UNIFORMITY OF N-TYPE THERMOELECTRIC MATERIALS PROPERTY[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2001,17(2):48-51.
Authors:Ma Congxiao  Ning Qianyan  Li Jianglu
Institution:Ma Congxiao Ning Qianyan Li Jianglu(Harbin Normal University)Zheng Yina(Daqing Oil Field Cable TV Station)
Abstract:
Keywords:to and fro zone melting  n-type semiconductor  thermoelectric material
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