| Ni_(51)Mn_(25.5)Ga_(23.5)单晶大的自发相变应变和磁感生应变 |
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| 作者姓名： | 游素琴 武亮 孔春阳 马勇 杨晓红 崔玉亭 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆,400047;重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆,400047 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目
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重庆市自然科学基金
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重庆市教委资助项目 |
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| 摘 要： | 通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。
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| 关 键 词： | 马氏体相变 形状记忆效应 磁感生应变 |
| 文章编号： | 1672-6693(2008)02-0057-05 |
| 修稿时间： | 2007-11-19 |
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