| 关于HF,F2,FCl,FBr的分子形貌轮廓以及边界电子密度的研究 |
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| 引用本文： | 杨忠志,袁满.关于HF,F2,FCl,FBr的分子形貌轮廓以及边界电子密度的研究[J].辽宁师范大学学报(自然科学版),2014(4):498-502. |
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| 作者姓名： | 杨忠志 袁满 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁师范大学化学化工学院,辽宁大连,116029
2. 辽宁师范大学物理与电子技术学院,辽宁大连,116029 |
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| 摘 要： | 利用Davidson等人发展多年的MELD精密从头计算程序的CISD方法,结合自编的分子形貌程序,描绘HF,F2,FCl,FBr双原子分子形貌图.计算双原子分子中X原子端和F原子端在垂直于化学键方向上和沿着化学键方向上的分子形貌轮廓参数R(R/a.u.)以及对应的边界电子密度ED(ED/10-3a.u.).比较各原子端轮廓参数与相应孤立原子半径的大小,联系第一电离能的变化趋势,发现对于卤族元素之间形成的氟化物,第一电离能越小,分子形貌轮廓参数越大,边界电子密度越小.对于核电荷数相同的两个原子形成的氟化物,无论垂直于化学键方向还是沿着化学键方向上的分子形貌轮廓参数和对应的边界电子密度都呈现对称关系.对于HF,F2,FCl,FBr双原子分子形貌的研究,为我们进一步讨论其他双原子分子的性质和特征,提供了有效可靠的方法.
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| 关 键 词： | 分子形貌 氟化物 分子形貌轮廓参数 边界电子密度 |
Study on molecular intrinsic characteristic contour and the boundary electron density about HF,F2,FCl and FBr |
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| YANG Zhongzhi,YUAN Man.Study on molecular intrinsic characteristic contour and the boundary electron density about HF,F2,FCl and FBr[J].Journal of Liaoning Normal University(Natural Science Edition),2014(4):498-502. |
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| Authors: | YANG Zhongzhi YUAN Man |
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| Institution: | YANG Zhongzhi;YUAN Man;School of Chemistry and Chemical Engineering,Liaoning Normal University;School of Physics and Electronic Technology,Liaoning Normal University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular face fluoride characteristic parameter of molecular face contour boundary elec-tron density |
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