| 外腔半导体激光器的实验研究 |
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| 引用本文： | 金杰,郭曙光,吕福云,张光寅.外腔半导体激光器的实验研究[J].南开大学学报,2002,35(4):56-59. |
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| 作者姓名： | 金杰 郭曙光 吕福云 张光寅 |
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| 作者单位： | 南开大学物理科学学院 天津300071
(金杰，郭曙光，吕福云)，南开大学物理科学学院 天津300071(张光寅) |
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| 基金项目： | 国家攀登计划预研项目基金，天津自然基金 ( 99360 0 71 1 )，河北省博士基金 |
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| 摘 要： | 本文报道了外腔半导体激光器的一些研究成果。利用闪耀光栅作反馈元件，对808nm波长的半导体激光器形成弱耦合外腔，实现了光谱特笥较好的窄线宽单模激光输出，线宽小于0.06nm，边模抑制比大于30dB，最大输出功率为35.4mW，总的光－光转换效率为46％。通过调整光栅转角，可以得到11.66nm的波长调谐范围。设计了光栅－反向镜联动结构，使外腔半导体激光器的输出方向不再随调谐而变化。
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| 关 键 词： | 实验研究 弱耦合 窄线宽 可调谐 外腔半导体激光器 谱线宽度 腔长 |
| 文章编号： | 0465-7942(2002)04-0056-04 |
| 修稿时间： | 2001年1月23日 |
STUDY OF EXTERNAL CAVITY SEMICONDUCTOR LASER |
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| JIN Jie,GUO Shuguang,LU Fuyun,ZHANG Guangyin.STUDY OF EXTERNAL CAVITY SEMICONDUCTOR LASER[J].Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis,2002,35(4):56-59. |
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| Authors: | JIN Jie GUO Shuguang LU Fuyun ZHANG Guangyin |
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| Abstract: | Some results for external cavity semiconductor laser are reported in this paper. We used a blazed grating as feedback to consist weak coupled external cavity for a cmmercial semiconductor laser at 808nm, improved the output characteristics of the semiconductor laser. For the external cavity semiconductor laser with single longitudinal mode and narrow linewidth, we obtained an output power of 35.4mW and a total optical to optical efficiency of 46%. Its side mode suppression ratio is more than 30dB, and spectrum line width is narrower than 0.06nm. Through turning the blazed grating, the tuning range of wavelength of 11.66nm has been achieved. We designed linkage configuration with a grating and a reflecting mirror to realize that output laser direction dos not changing with the tunable.$$$$ |
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| Keywords: | weak coupled narrow-linewidth tunable external cavity semiconductor laser |
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