SiO_2包覆花环状Co_3O_4负极材料的合成及电化学性能研究 |
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引用本文: | 刘国镇,林志雅,洪礼训,池毓彬,陶剑铭,林应斌.SiO_2包覆花环状Co_3O_4负极材料的合成及电化学性能研究[J].福建师范大学学报(自然科学版),2019(2). |
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作者姓名: | 刘国镇 林志雅 洪礼训 池毓彬 陶剑铭 林应斌 |
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作者单位: | 福建师范大学物理与能源学院福建省太阳能转换与储能工程技术研究中心 |
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摘 要: | 利用溶剂热法制备了花环状Co_3O_4材料,并通过低温水解正硅酸乙酯工艺在Co_3O_4表面沉积SiO_2纳米层.采用XRD、FTIR、SEM、EDS、BET技术对材料的结构和形貌进行表征;应用充放电测试、循环伏安法和电化学阻抗对材料的电化学性能进行细致研究.结果表明,SiO_2颗粒均匀包覆在花环状Co_3O_4表面,SiO_2包覆显著改善了Co_3O_4复合材料的循环稳定性.循环稳定性的改善主要归因于SiO_2包覆可以有效缓解锂离子嵌入脱出过程中Co_3O_4的体积膨胀,进而改善了锂离子的扩散动力学行为.
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