| CrSi_2电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
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| 作者姓名： | 周士芸 谢泉 闫万珺 陈茜 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院电子科学系贵州大学新型光电子材料与技术研究所;贵州安顺学院物理系; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60566001,60766002);;教育部博士点专项科研基金(编号:20050657003);;贵州省优秀科技教育人才省长专项基金;;教育部留学回国科研基金(编号:教外司(2005)383);;贵州省教育厅重点基金(编号:05JJ002);;贵州省留学人员科技项目(编号:黔人项目(2004)03);;省委组织部高层次人才科研资助项目 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;同时也计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等.经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好.
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| 关 键 词： | CrSi2 电子结构 光学性质 第一性原理 |
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