| 四氧化三铁薄膜的电子输运性能 |
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| 引用本文： | 王健,王雅欣,刘技文,刘晖.四氧化三铁薄膜的电子输运性能[J].天津理工大学学报,2006,22(5):9-13. |
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| 作者姓名： | 王健 王雅欣 刘技文 刘晖 |
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| 作者单位： | 1. 天津理工大学,材料科学与工程学院,天津,300191
2. 南开大学,信息学院,天津,300071 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金;天津市高等学校科技发展基金 |
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| 摘 要： | 20世纪80年代后期,人们对电子器件小型化、高集成度以及高运算速度提出了更高的要求,以此为目标,通过对磁性多层膜、磁性颗粒膜、磁性半金属材料的巨磁电效应、霍耳效应等自旋相关电子输运性能的研究,逐渐形成了一门新兴的交叉学科-自旋电子学1].自旋电子学将电子的自旋特性引
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| 关 键 词： | 四氧化三铁 半金属 自旋电子学 |
| 文章编号： | 1673-095X（2006）05-0009-05 |
| 收稿时间： | 2006-04-10 |
| 修稿时间： | 2006-04-10 |
Electron transportation properties of Fe3O4 film |
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| WANG Jian,WANG Ya-xin,LIU Ji-wen,LIU Hui.Electron transportation properties of Fe3O4 film[J].Journal of Tianjin University of Technology,2006,22(5):9-13. |
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| Authors: | WANG Jian WANG Ya-xin LIU Ji-wen LIU Hui |
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| Institution: | 1. School of Material Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300191, China; 2. School of Informaties, Nankai University,Tianjin 300071, China |
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| Abstract: | Fe_3O_4 film was considered to be an important material because of its 100% electron polar-ization at the fermi energy,highest known curie temperature and giant magnetoresistance.So it has become a pre-ferred material as magnetic random access memory(MRAM),magnetic head,and ma-gnetic sensor.In this paper,we expatiation the electron transportation properties of Fe_3O_4 film of its resistivity,magnetoresistance effect and Hall effect.At last we propose the prospectation of Fe_3O_4 film in magnetic access memory. |
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| Keywords: | Fe3O4 half-metal spintronics |
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