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| n^＋／p常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法 | |
| 引用本文： | 胡伟民,洪坦.n^＋／p常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法[J].同济大学学报(自然科学版),1995,23(1):65-68. |
| 作者姓名： | 胡伟民 洪坦 |
| 作者单位： | 同济大学电气工程系，上海大学技术物理系 |
| 摘 要： | 磷透过热生长氧化层扩散的方法，可以减缓高浓度浅结磷扩大硅表层带来的晶格损伤（即“死层”）双晶Ｘ射线衍射图形和杂质纵向分布测量均证实了这一点，用此方法制备的常规结深的太阳电池，其相对光谱响应４００～６００ｎｍ波段内平均提高了５０％，在ＡＭＯ（２５℃）条件下，其光电转换效率也从常规电池的１１．８％提高到１２．３％，转换效率可望在工艺最佳化研究后得到进一步提高。 |
| 关 键 词： | 硅太阳能电池 太阳能电池 X射线 衍射 光谱响应 |
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