用背散射进行物质分析 |
| |
引用本文: | 承焕生,汤家镛,徐志伟,杨福家,赵国庆,周筑颖.用背散射进行物质分析[J].复旦学报(自然科学版),1979(2). |
| |
作者姓名: | 承焕生 汤家镛 徐志伟 杨福家 赵国庆 周筑颖 |
| |
摘 要: | 用离子加速器的离子束进行物质分析是近十年来发展起来的,它是物质分析中的有效手段,包括背散射(RBS)、质子荧光分析(PIXE)和核反应三种方法。它们各有特点,互相补充,所谓背散射就是能量为1~3MeV的~4He离子束或能量为几百keV的质子束打到靶上,入射离子和靶原子核发生库仑相互作用,部分入射离子发生大角度散射的现象。用金-硅面垒半导体探测器可测得此背散射离子能谱。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|