a—Si:H和a—SiC:H薄膜掺杂效率的研究 |
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引用本文: | 宋志忠,徐进章.a—Si:H和a—SiC:H薄膜掺杂效率的研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1995,31(1):31-34. |
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作者姓名: | 宋志忠 徐进章 |
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摘 要: | 本文通过测量掺杂a-Si:H和a-SiC"h薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明(1)杂质激活过程中伸展指数形式,(2)在低温区掺杂效率正比于e^-Rk/KT,(3)在高温区掺杂效率达到-饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型,我们解释了上述实验结果。
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关 键 词: | 非晶态半导体 薄膜 掺杂效率 |
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