| 电荷掺杂和Cl掺杂聚吡咯、聚呋喃、聚噻吩的导电性理论研究 |
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| 引用本文： | 闫晗,张桂玲,戴柏青.电荷掺杂和Cl掺杂聚吡咯、聚呋喃、聚噻吩的导电性理论研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2008,24(6). |
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| 作者姓名： | 闫晗 张桂玲 戴柏青 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学 |
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| 摘 要： | 利用Gaussian 03程序包中的密度泛函理论在B3LYP/6-31G(d)水平下,对未掺杂、电荷掺杂和C l掺杂的聚吡咯、聚呋喃、聚噻吩进行几何全优化,并对它们的几何结构、自旋密度、自然键轨道(NBO)、前线轨道能进行了理论分析.结果表明,电荷掺杂能使聚合物键长趋于平均化,其极子分布几乎遍及了整个分子链而C l原子掺杂对聚合物的影响主要集中在与C l原子相邻的C原子上,极子分布局域在C l原子附近的大约7个碳原子上,掺杂能够明显增强π电子共轭性,降低能隙,从而增强导电性.
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| 关 键 词： | 聚吡咯 聚呋喃 聚噻吩 掺杂 导电性 |
THEORETICAL STUDIES ON THE CHARGE-DOPED AND Cl-DOPED OLIGOPYRROLE,OLIGOFURAN,AND OLIGOTHIOPHENE |
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| Yan HanZhang GuilingDai Baiqing.THEORETICAL STUDIES ON THE CHARGE-DOPED AND Cl-DOPED OLIGOPYRROLE,OLIGOFURAN,AND OLIGOTHIOPHENE[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2008,24(6). |
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| Authors: | Yan HanZhang GuilingDai Baiqing |
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| Institution: | Harbin Normal University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Oligopyrrole Oligofuran Oligothiopehene Doping Conductivity |
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