| 一种新型的高性能带隙基准电压源 |
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| 引用本文： | 朱颖,何乐年,严晓浪.一种新型的高性能带隙基准电压源[J].江南大学学报(自然科学版),2007,6(2):185-188. |
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| 作者姓名： | 朱颖 何乐年 严晓浪 |
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| 作者单位： | 浙江大学,超大规模集成电路设计研究所,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 提出了一种新型的高性能带隙基准电压源,该基准电压源采用共源共栅电流镜提供偏置电流,减少沟道长度调制效应带来的误差,并增加1个简单的减法电路,使得偏置电流更好地跟随电源电压变化,从而提高电路的电源抑制比。整体电路使用CSMC 0.6μm CMOS工艺,采用Hspice进行仿真。仿真结果表明,在-50~ 100℃温度范围内温度系数为2.93×10-5℃,电源抑制比达到-84.2 dB,电源电压在3.5~6.5 V之间均可实现2.5±0.0012 V的输出,是一种有效的基准电压实现方法。
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| 关 键 词： | 基准电压源 温度补偿 温度系数 |
| 文章编号： | 1671-7147（2007）02-0185-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-11 |
| 修稿时间： | 2005-05-112005-06-30 |
Super Performance CMOS Band-Gap Voltage Reference |
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| ZHU Ying,HE Le-nian,YAN Xiao-lang.Super Performance CMOS Band-Gap Voltage Reference[J].Journal of Southern Yangtze University:Natural Science Edition,2007,6(2):185-188. |
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| Authors: | ZHU Ying HE Le-nian YAN Xiao-lang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | band-gap voltage reference temperature compensation temperature coefficient |
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