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运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究
引用本文:刘向阳,张振龙.运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究[J].烟台师范学院学报(自然科学版),2003,19(1):64-67,80.
作者姓名:刘向阳  张振龙
作者单位:[1]河南大学特种功能材料重点实验室 [2]河南大学物理与信息光电子学院;河南开封47500
摘    要:对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质.

关 键 词:半导体材料  表面光电压技术  表面光电压谱  场诱导表面光电压谱  表面态  能带隙
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