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| 铜一二氧化硅体系巨霍耳效应研究 | |
| 引用本文： | 邬祥忠,李振声,刘晖.铜一二氧化硅体系巨霍耳效应研究[J].天津理工大学学报,2001,17(1):24-26. |
| 作者姓名： | 邬祥忠 李振声 刘晖 |
| 作者单位： | 天津理工学院自动化与能源工程学院，天津 300191 |
| 摘 要： | 研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系，随着金属体积比的降低，霍耳系数R迅速增加，并在x=0.51时达到最大，其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍，远超过经典渗流理论计算数值.本研究表明，这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应（GHE）是由界观尺度的量子干涉效应引起的. |
| 关 键 词： | 晶粒 巨霍耳效应 渗流 |
| 文章编号： | 1004-2261(2001)01-24-03 |
| 修稿时间： | 2000年12月25 |
Study of the Giant Hall effect in Cu-SiO2 system |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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