| 钒硼氮层间化合物的电子结构与成键性 |
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| 引用本文： | 关源.钒硼氮层间化合物的电子结构与成键性[J].哈尔滨商业大学学报(自然科学版),2003,19(3):336-338. |
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| 作者姓名： | 关源 |
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| 作者单位： | 黑龙江大学,教务处,黑龙江,哈尔滨,150080 |
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| 摘 要： | 采用量子化学从头算方法 ,在 6 - 31G 水平上对h -BN进行了几何全优化 ,得到了与实验一致的结构参数 .然后利用优化构型在 3- 2 1G 基组水平上对hBN -V层间化合物的结构单元作了单点计算 .从层间距 ,原子净电荷 ,Mulliken重叠布居的角度 ,分析了这一硼氮层间化合物的电子结构和成键性 ,得到了与石墨层间化合物理论计算相一致的结果 ,并从理论上预测了hBN -V硼氮层间化合物合成的可行性
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| 关 键 词： | 层间化合物 hBN-V 电子结构 成键 |
| 文章编号： | 1672-0946(2003)03-0336-03 |
| 修稿时间： | 2003年2月23日 |
Study on electronic structure and bonding character of hBN-V intercalation compound |
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| GUANG Yuan.Study on electronic structure and bonding character of hBN-V intercalation compound[J].Journal of Harbin University of Commerce :Natural Sciences Edition,2003,19(3):336-338. |
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| Authors: | GUANG Yuan |
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| Abstract: | Adopting initio calculation, optimized the hBN at geometry structure 6-31G * basis set levels, and single point calculations are also performed for hBN-V From the calculation results, interlayer distances, Mulliken populations, gross atom interactions,employed net atomic charges and frontier orbital energies for discussing electronic structure and bonding character of hBN-V Discussed some results that similar to those calculated for graph intercalation compound, and the possibility of synthesis hBN-V |
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| Keywords: | intercalation compound hBN-V electronic structure bonding character |
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