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| 半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计 | |
| 引用本文： | 郑振华.半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计[J].科学通报,1995,40(2):187-187. |
| 作者姓名： | 郑振华 |
| 作者单位： | 宁波大学物理系 宁波315211 (郑振华，陈羽)，宁波大学物理系 宁波315211(缪容之) |
| 基金项目： | 浙江省教育委员会资助项目 |
| 摘 要： | 半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO_3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨. |
| 关 键 词： | 半导体陶瓷 边界层电容器 电容器 物理性能 |
| 收稿时间： | 1994-04-05 |
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