| 离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究 |
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| 引用本文： | 谢凡,杜树成,韩德俊. 离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2001, 37(6): 761-766 |
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| 作者姓名： | 谢凡 杜树成 韩德俊 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所,;北京师范大学低能核物理研究所,;北京师范大学低能核物理研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69976006; |
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| 摘 要： | 选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .
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| 关 键 词： | X射线探测器 PIN管结构 暗电流密度 N型保护区 |
| 修稿时间： | 2001-07-09 |
ENTROPY OF A RECTILINEARLY, NON-UNIFORMLY ACCELERATING AND CHARGEN BLACK HOLE |
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| Xie Fan Du Shucheng Han Dejun. ENTROPY OF A RECTILINEARLY, NON-UNIFORMLY ACCELERATING AND CHARGEN BLACK HOLE[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2001, 37(6): 761-766 |
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| Authors: | Xie Fan Du Shucheng Han Dejun |
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| Abstract: | A X-ray detector with PIN structure is fabricated on high-resistivity, n-type <100> single crystal silicon. To reduce dark current, N protection regions are made on both sides of P regions by low concentration shallow ion implantation. At the same reverse-voltage, the dark current of the detector decreases with increasing quantity of implants in N protection regions. Surface smoothing, back-side thinning and AuSb/Au ohmic contact are adopted. I-V curres are obtained for thinned detector at different temperature. |
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| Keywords: | X-ray detector PIN structure dark current N protection region |
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