| GaN HEMT场板研究综述 |
| |
| 引用本文： | 刘建华,郭宇锋,黄晓明,黄智,姚小江.GaN HEMT场板研究综述[J].南京邮电大学学报(自然科学版),2020,40(1). |
| |
| 作者姓名： | 刘建华 郭宇锋 黄晓明 黄智 姚小江 |
| |
| 作者单位： | 南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,江苏南京210023;南京邮电大学电子与光学工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,江苏南京210023;南京邮电大学电子与光学工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,江苏南京210023;南京邮电大学电子与光学工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,江苏南京210023;南京邮电大学电子与光学工程学院,江苏南京210023;南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,江苏南京210023;南京邮电大学电子与光学工程学院,江苏南京210023 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国博士后科学基金 |
| |
| 摘 要： |
|
| 关 键 词： | 氮化镓高电子迁移率晶体管 场板 击穿电压 导通电阻 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
