| 等离子体源离子注入半圆碗状球内壁离子能量和角度分布 |
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| 引用本文： | 刘成森,吴雪飞,高昕昕.等离子体源离子注入半圆碗状球内壁离子能量和角度分布[J].辽宁师范大学学报(自然科学版),2008,31(3). |
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| 作者姓名： | 刘成森 吴雪飞 高昕昕 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁师范大学,物理与电子技术学院,辽宁,大连,116029
2. 大连理工大学,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室基金的课题 |
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| 摘 要： | 在等离子体源离子注入（PSII）技术中，被加工材料表明形状的弯曲使附近鞘层中电场结构出现聚焦效应，从而引起离子束流和离子注入剂量在材料表明上分布非常不均匀．在半圆容器表面情况下，这种情况尤为明显．利用MonteCarlo方法，考察了有共心附加零电位电极时半圆容器内底中央部位Ar^＋注入能量和角度分布及真空室中气压参数的影响．通过在不同半径的鞘层边界上随机抽取与半径成正比的离子数量，计算了注入到内底表面的所有离子能量分布和角度分布．在模型中，通过考虑两种主要碰撞过程：电荷交换碰撞和弹性碰撞．对不同工作气压下的离子注入进行了考察．随着中性气体压力的增加，离子在穿越鞘层的过程中与中性粒子经历比较频繁的碰撞．这些碰撞一方面使离子失去能量，另一方面也使离子改变运动方向，导致注入的低能离子和不垂直于表面入射的离子增多．
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| 关 键 词： | 等离子体源离子注入 Monte Carlo模拟 能量分布 角度分布 |
Energy and angle distributions of ions striking an inner surface of hemispherical bowl-shaped target in plasma source ion implantation |
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| LIU Cheng-sen,WU Xue-fei,GAO Xin-xin.Energy and angle distributions of ions striking an inner surface of hemispherical bowl-shaped target in plasma source ion implantation[J].Journal of Liaoning Normal University(Natural Science Edition),2008,31(3). |
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| Authors: | LIU Cheng-sen WU Xue-fei GAO Xin-xin |
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