BmNn、BmNn-和BmNn+电子特性的研究 |
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作者姓名: | 林家勇 |
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作者单位: | 广东工业大学华立学院机电工程学院; |
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摘 要: | 本文采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)相同水平上计算了BmNn(m+n+15)的绝热电子亲和势,BmNn-的垂直电离势,BmNn+的绝热电离势和垂直电离势。结果表明:BN、B2N、BN3、B3N2和BN4失电子能力较弱,B2N2-失电子能力最强,BN4-失电子能力最弱,BN2-和B2N-.BN-和B3N-的垂直电离能力相同。
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关 键 词: | 团簇 垂直电离势 绝热亲和势 密度泛函理论 |
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