| 纳米硅簿膜制备工艺的研究 |
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| 引用本文： | 万明芳,魏希文,何宇亮.纳米硅簿膜制备工艺的研究[J].大连理工大学学报,1995(6). |
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| 作者姓名： | 万明芳 魏希文 何宇亮 |
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| 作者单位： | 大连理工大学物理系，北京航空航天大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。
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| 关 键 词： | 硅，薄膜／等离子体增强化学气相淀积 |
Study of preparation technology of nano-crystalline silicon |
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| Wan Mingfang ,Wei Xiwen,He Yuliang.Study of preparation technology of nano-crystalline silicon[J].Journal of Dalian University of Technology,1995(6). |
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| Authors: | Wan Mingfang Wei Xiwen He Yuliang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon thin film /PECVD |
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